מספר מוצר של יצרן:
SQJ463EP-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQJ463EP-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 30A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
1490 יחידות חדשות מק originales במלאי
12786740
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQJ463EP-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
150 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5875 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SQJ463
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQJ463EP-T1_GE3CT
SQJ463EP-T1_GE3DKR
SQJ463EP-T1_GE3TR
SQJ463EP-T1-GE3
SQJ463EP-T1-GE3-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR606BDP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 10.9A PPAK
SQ2361AEES-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
SIHFR420TRL-GE3
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
