מספר מוצר של יצרן:
SI7322ADN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7322ADN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 15.1A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12918418
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7322ADN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
ThunderFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.1A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
57mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
13 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
360 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
26W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SI7322
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7322ADN-T1-GE3CT
SI7322ADN-T1-GE3DKR
SI7322ADN-T1-GE3-DG
SI7322ADN-T1-GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
RQ7E110AJTCR
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1294
DiGi מספר חלק
RQ7E110AJTCR-DG
מחיר ליחידה
0.33
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3L050GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
14048
DiGi מספר חלק
RQ3L050GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.24
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RQ3G150GNTB
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
5884
DiGi מספר חלק
RQ3G150GNTB-DG
מחיר ליחידה
0.44
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
SI3457BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
SQD100N03-3M4_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA