מספר מוצר של יצרן:
SI5441BDC-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI5441BDC-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
מלאי:
12918424
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI5441BDC-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
45mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.3W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
1206-8 ChipFET™
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
מספר מוצר בסיסי
SI5441
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI5441BDC-T1-GE3CT
SI5441BDC-T1-GE3TR
SI5441BDC-T1-GE3-DG
SI5441BDC-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI3457BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
SQD100N03-3M4_GE3
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
SI3469DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
