מספר מוצר של יצרן:
IRF610SPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRF610SPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
320 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858526
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRF610SPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
140 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 36W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
IRF610
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRF610SPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
NTMFS4C09NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
IPB021N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
NTMFS4C09NAT1G
MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
