NTMFS4C09NT1G

מספר מוצר של יצרן:

NTMFS4C09NT1G

Product Overview

יצרן:

onsemi

DiGi Electronics מספר חלק:

NTMFS4C09NT1G-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

מלאי:

5433 יחידות חדשות מק originales במלאי

12858532

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

NTMFS4C09NT1G מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

onsemi

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

-

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

9A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

2.1V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

10.9 nC @ 4.5 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1252 pF @ 15 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

760mW (Ta), 25.5W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

חבילה / מארז

8-PowerTDFN, 5 Leads

מספר מוצר בסיסי

NTMFS4

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

NTMFS4C09NT1G-DG

מידע נוסף

שמות אחרים

NTMFS4C09NT1GOSTR

NTMFS4C09NT1GOSDKR

NTMFS4C09NT1G-DG

ONSNTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1GOSCT

2156-NTMFS4C09NT1G-OS

חבילה סטנדרטית

1,500

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

infineon-technologies

IPB021N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

onsemi

NTMFS4C09NAT1G

MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN

infineon-technologies

IPP027N08N5AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

renesas-electronics-america

HAT2131R-EL-E

MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP