מספר מוצר של יצרן:
IPP027N08N5AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPP027N08N5AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
מלאי:
500 יחידות חדשות מק originales במלאי
12858542
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPP027N08N5AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 154µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
123 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8970 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
214W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO220-3
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IPP027
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-IPP027N08N5AKSA1
INFINFIPP027N08N5AKSA1
SP001132484
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HAT2131R-EL-E
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP
NTMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NTD14N03RT4
MOSFET N-CH 25V 14A DPAK
