מספר מוצר של יצרן:
TPH4R606NH,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH4R606NH,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 32A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 32A (Ta) 1.6W (Ta), 63W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
4980 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890603
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH4R606NH,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSVIII-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
32A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.6mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
49 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3965 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.6W (Ta), 63W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH4R606
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH4R606NHL1QDKR
TPH4R606NHL1QTR
TPH4R606NHL1Q
TPH4R606NHL1QCT
TPH4R606NH,L1Q(M
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPN2R703NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
TK3A60DA(Q,M)
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
