מספר מוצר של יצרן:
TK3A60DA(Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK3A60DA(Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
1 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890606
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK3A60DA(Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.8Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
380 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK3A60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK3A60DA(Q)
TK3A60DA(QM)
TK3A60DAQM
TK3A60DA(Q)-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF6N62K3
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
963
DiGi מספר חלק
STF6N62K3-DG
מחיר ליחידה
0.83
סוג משאב
Direct
מספר חלק
TK3A60DA(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
47
DiGi מספר חלק
TK3A60DA(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK100L60W,VQ
MOSFET N-CH 600V 100A TO3P
TK10A60W5,S5VX
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
