בית
מוצרים
יצרנים
אודות DiGi
צור קשר
בלוגים ופוסטים
בקשת מחיר/ציטוט
Israel
התחבר
שפה בררנית
השפה הנוכחית שבחרת
Israel
מתג:
אנגלית
אירופה
בריטניה
קונגו - קינשאסה
ארגנטינה
טורקיה
רומניה
ליטא
נורווגיה
אוסטריה
אנגולה
סלובקיה
לטלי
פינלנד
בלרוס
בולגריה
דנמרק
אסטוניה
פולין
אוקראינה
סלובניה
צ\'כית
יוונית
קרואטיה
ישראל
מונטנגרו
רוסית
בלגיה
שוודיה
סרביה ומונטנגרו
בסקית
איסלנד
בוסניה
הונגרית
מולדובה
גרמניה
הולנד
אירלנד
אסיה / האוקיינוס השקט
סין
וייטנאם
אינדונזיה
תאילנד
לאוס
פיליפינית
מלזיה
קוריאה
יפן
הונג קונג
טיוואן
סינגפור
פקיסטן
ערב הסעודית
קטאר
כוויית
קמבודיה
מיאנמר
אפריקה, הודו והמזרח התיכון
איחוד האמירויות הערביות
טג'יקיסטן
מדגסקר
הודו
איראן
צרפת
דרום אפריקה
מצרים
קניה
טנזניה
גאנה
סנגל
מרוקו
טוניסיה
דרום אמריקה / אוקיאניה
ניו זילנד
פורטוגל
ברזיל
מוזמביק
פרו
קולומביה
צ\'ילה
ונצואלה
אקוודור
בוליביה
אורוגוואי
ספרד
פרגוואי
אוסטרליה
צפון אמריקה
ארצות הברית
האיטי
קנדה
קוסטה ריקה
מקסיקו
אודות DiGi
עלינו
עלינו
ההסמכות שלנו
נIntroduction
למה DiGi
מדיניות
מדיניות איכות
תנאי שימוש
התאמה ל-RoHS
תהליך החזרה
משאבים
קטגוריות מוצרים
יצרנים
בלוגים ופוסטים
שירותים
אחריות איכות
אופן תשלום
משלוח גלובלי
מחירי משלוח
שאלות נפוצות
מספר מוצר של יצרן:
TK10A60W5,S5VX
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK10A60W5,S5VX-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
בקשת מחיר מקוונת
12890608
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
*
חברה
*
שם קשר
*
טלפון
*
דוא"ל
כתובת משלוח
הודעה
(
*
) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK10A60W5,S5VX מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
450mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
720 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
30W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK10A60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
TK10A60W5
מידע נוסף
שמות אחרים
TK10A60W5S5VX
TK10A60W5,S5VX(M
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCPF600N60Z
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
171833
DiGi מספר חלק
FCPF600N60Z-DG
מחיר ליחידה
1.20
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPN4R203NC,L1Q
MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
TK9P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
TPH2900ENH,L1Q
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB