TPH2900ENH,L1Q

מספר מוצר של יצרן:

TPH2900ENH,L1Q

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

TPH2900ENH,L1Q-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

מלאי:

13703 יחידות חדשות מק originales במלאי

12890620

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

TPH2900ENH,L1Q מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

אריזות

Tape & Reel (TR)

סדרה

U-MOSVIII-H

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

33A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

29mOhm @ 16.5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 1mA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

22 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

2200 pF @ 100 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

78W (Tc)

טמפרטורת פעולה

150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

8-SOP Advance (5x5)

חבילה / מארז

8-PowerVDFN

מספר מוצר בסיסי

TPH2900

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים

TPH2900ENHL1QTR

TPH2900ENH,L1Q(M

TPH2900ENHL1QDKR

TPH2900ENHL1QCT

חבילה סטנדרטית

5,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K341NU,LF

MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB

toshiba-semiconductor-and-storage

TK45P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 45A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 100V 40A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TPC8014(TE12L,Q,M)

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP