מספר מוצר של יצרן:
TPCF8201(TE85L,F,M
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPCF8201(TE85L,F,M-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 3A 330mW Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
מלאי:
12890829
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPCF8201(TE85L,F,M מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
49mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
7.5nC @ 5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
590pF @ 10V
הספק - מקס'
330mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SMD, Flat Lead
חבילת מכשירים לספקים
VS-8 (2.9x1.5)
מספר מוצר בסיסי
TPCF8201
מידע נוסף
שמות אחרים
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-DG
TPCF8201FTR-DG
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-DG
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
חבילה סטנדרטית
4,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPC8211(TE12L,Q,M)
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6