מספר מוצר של יצרן:
SSM6N16FUTE85LF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM6N16FUTE85LF-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 100mA 200mW Surface Mount US6
מלאי:
3590 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890988
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM6N16FUTE85LF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9.3pF @ 3V
הספק - מקס'
200mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
US6
מספר מוצר בסיסי
SSM6N16
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM6N16FU(TE85L,F)
SSM6N16FUTE85LFTR
SSM6N16FUTE85LFDKR
SSM6N16FUTE85LFCT
SSM6L09FU(TE85LF)
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6N48FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
SSM6P41FE(TE85L,F)
MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6
TPC8212-H(TE12LQ,M
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP