מספר מוצר של יצרן:
TPC8211(TE12L,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPC8211(TE12L,Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOP
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 5.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
מלאי:
12890916
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPC8211(TE12L,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.5A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
36mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1250pF @ 10V
הספק - מקס'
450mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP (5.5x6.0)
מספר מוצר בסיסי
TPC8211
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDS6930B
יצרן
onsemi
כמות זמינה
970
DiGi מספר חלק
FDS6930B-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM6L61NU,LF
MOSFET N/P-CH 20V 4A 6UDFN
SSM6N16FUTE85LF
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
SSM6N48FU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A US6
