מספר מוצר של יצרן:
TK7R4A10PL,S4X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK7R4A10PL,S4X-DG
תיאור:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 42W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
216 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920918
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK7R4A10PL,S4X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
44 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2800 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK7R4A10
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK7R4A10PL,S4X(S
264-TK7R4A10PLS4X
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
SIR140DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
