מספר מוצר של יצרן:
SIHU3N50DA-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHU3N50DA-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 69W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
מלאי:
12920922
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHU3N50DA-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
12 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
177 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
69W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
IPAK (TO-251)
חבילה / מארז
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
מספר מוצר בסיסי
SIHU3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR140DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
SIHP25N40D-E3
MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
