SIR140DP-T1-RE3
מספר מוצר של יצרן:

SIR140DP-T1-RE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIR140DP-T1-RE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 71.9A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

11305 יחידות חדשות מק originales במלאי
12920925
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIR140DP-T1-RE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
71.9A (Ta), 100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
170 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
8150 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR140

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
SIR140DP-T1-RE3TR
SIR140DP-T1-RE3DKR
SIR140DP-RE3
SIR140DP-T1-RE3CT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay-siliconix

SIHP25N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 25A TO220AB

vishay-siliconix

SISA01DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK

vishay-siliconix

SIR668DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8

toshiba-semiconductor-and-storage

TPN7R006PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 54A 8TSON