מספר מוצר של יצרן:
TK31N60W5,S1VF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK31N60W5,S1VF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
12889343
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK31N60W5,S1VF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3000 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
230W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TK31N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK31N60W5,S1VF-DG
TK31N60W5S1VF
TK31N60W5,S1VF(S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
APT30N60BC6
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
2
DiGi מספר חלק
APT30N60BC6-DG
מחיר ליחידה
5.18
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPW35N60C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
198
DiGi מספר חלק
SPW35N60C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
5.72
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW60R099P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
54
DiGi מספר חלק
IPW60R099P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXKH35N60C5
יצרן
IXYS
כמות זמינה
117
DiGi מספר חלק
IXKH35N60C5-DG
מחיר ליחידה
6.79
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K36FS,LF
MOSFET N-CH 20V 500MA SSM
SSM3J168F,LF
MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
2SK3844(Q)
MOSFET N-CH 60V 45A TO220NIS
