מספר מוצר של יצרן:
IPW60R099P7XKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPW60R099P7XKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 117W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
מלאי:
54 יחידות חדשות מק originales במלאי
12806441
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPW60R099P7XKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
CoolMOS™ P7
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
31A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
99mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 530µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
45 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1952 pF @ 400 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
117W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
IPW60R099
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SP001647038
IPW60R099P7XKSA1-DG
448-IPW60R099P7XKSA1
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRLB3036GPBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
IRF7705GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 8A 8TSSOP
IRF1607PBF
MOSFET N-CH 75V 142A TO220AB
