מספר מוצר של יצרן:
RN2910,LF(CT
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2910,LF(CT-DG
תיאור:
PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BERINF.
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SMQ
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889396
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2910,LF(CT מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
4.7kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
-
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
200mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-61AA
חבילת מכשירים לספקים
SMQ
מספר מוצר בסיסי
RN2910
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN2910,LF(CB
RN2910LF(CTDKR
RN2910LF(CTCT
RN2910LF(CTTR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1965(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
RN2607(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
RN2962(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6