מספר מוצר של יצרן:
RN2962(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2962(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
מלאי:
2760 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889404
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2962(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
10kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
10kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
50 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
200MHz
הספק - מקס'
200mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
חבילת מכשירים לספקים
US6
מספר מוצר בסיסי
RN2962
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN2962(TE85LF)TR
RN2962(TE85LF)CT
RN2962(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
NSVMUN5111DW1T3G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
10000
DiGi מספר חלק
NSVMUN5111DW1T3G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
MUN5111DW1T1G
יצרן
onsemi
כמות זמינה
575
DiGi מספר חלק
MUN5111DW1T1G-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
מספר חלק
DDA114YU-7-F
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5915
DiGi מספר חלק
DDA114YU-7-F-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1609(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
RN1706,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6