מספר מוצר של יצרן:
RN1609(TE85L,F)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN1609(TE85L,F)-DG
תיאור:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SM6
מלאי:
2935 יחידות חדשות מק originales במלאי
12889405
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN1609(TE85L,F) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), אריחי טרנזיסטורים בי-פולריים, בעדיפות מוקדמת
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
זרם - אספן (IC) (מקס')
100mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50V
נגד - בסיס (R1)
47kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
22kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
70 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250MHz
הספק - מקס'
300mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-74, SOT-457
חבילת מכשירים לספקים
SM6
מספר מוצר בסיסי
RN1609
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
RN1609(TE85LF)TR
RN1609(TE85LF)CT
RN1609(TE85LF)DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1706,LF
NPNX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
RN2911FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN4984FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
