מספר מוצר של יצרן:
RN2108ACT(TPL3)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
RN2108ACT(TPL3)-DG
תיאור:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3
מלאי:
12890877
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RN2108ACT(TPL3) מפרטים טכניים
קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
PNP - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
80 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
22 kOhms
נגד - בסיס אמיטר (R2)
47 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
80 @ 10mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
500nA
הספק - מקס'
100 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-101, SOT-883
חבילת מכשירים לספקים
CST3
מספר מוצר בסיסי
RN2108
מידע נוסף
שמות אחרים
RN2108ACT(TPL3)TR
RN2108ACT(TPL3)CT
RN2108ACT(TPL3)DKR
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RN1118(T5L,F,T)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
RN2115MFV,L3F
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
RN1111ACT(TPL3)
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3