RN1111ACT(TPL3)
מספר מוצר של יצרן:

RN1111ACT(TPL3)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN1111ACT(TPL3)-DG

תיאור:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

מלאי:

12890896
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN1111ACT(TPL3) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
80 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
10 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
150mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
הספק - מקס'
100 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-101, SOT-883
חבילת מכשירים לספקים
CST3
מספר מוצר בסיסי
RN1111

מידע נוסף

שמות אחרים
RN1111ACT(TPL3)CT
RN1111ACT(TPL3)DKR
RN1111ACT(TPL3)TR
חבילה סטנדרטית
10,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
PDTC114TM,315
יצרן
Philips
כמות זמינה
60000
DiGi מספר חלק
PDTC114TM,315-DG
מחיר ליחידה
0.03
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN1112(T5L,F,T)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2106ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2401,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1414,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI