RN1112(T5L,F,T)
מספר מוצר של יצרן:

RN1112(T5L,F,T)

Product Overview

יצרן:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics מספר חלק:

RN1112(T5L,F,T)-DG

תיאור:

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
תיאור מפורט:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM

מלאי:

12890901
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

RN1112(T5L,F,T) מפרטים טכניים

קטגוריה
ביפולרי (BJT), טרנסיסטורים ביפולריים עם הפרעה מראש, יחיד
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג טרנזיסטור
NPN - Pre-Biased
זרם - אספן (IC) (מקס')
100 mA
מתח - התמוטטות פולט קולט (מקס')
50 V
נגד - בסיס (R1)
22 kOhms
רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ IC, VCE
120 @ 1mA, 5V
Vce רוויה (מקס') @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
זרם - חיתוך אספן (מקס')
100nA (ICBO)
תדירות - מעבר
250 MHz
הספק - מקס'
100 mW
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SC-75, SOT-416
חבילת מכשירים לספקים
SSM
מספר מוצר בסיסי
RN1112

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
RN1112(T5LFT)CT
RN1112(T5LFT)DKR
RN1112(T5LFT)TR
RN1112T5LFT
חבילה סטנדרטית
3,000

סיווג סביבתי וייצוא

רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2106ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2401,LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1414,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1424TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI