מספר מוצר של יצרן:
STW56N60DM2
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW56N60DM2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12876961
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW56N60DM2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ DM2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
90 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4100 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
360W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW56
מידע נוסף
שמות אחרים
5060-STW56N60DM2
497-16341-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R6077VNZ4C13
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
1190
DiGi מספר חלק
R6077VNZ4C13-DG
מחיר ליחידה
7.97
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH48N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
272
DiGi מספר חלק
IXTH48N65X2-DG
מחיר ליחידה
5.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH62N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
10
DiGi מספר חלק
IXTH62N65X2-DG
מחיר ליחידה
6.25
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK39N60W,S1VF
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
6
DiGi מספר חלק
TK39N60W,S1VF-DG
מחיר ליחידה
2.45
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SCTWA10N120
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
STP15N95K5
MOSFET N-CH 950V 12A TO220
STB80NF55-08AG
MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK
