מספר מוצר של יצרן:
TK39N60W,S1VF
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK39N60W,S1VF-DG
תיאור:
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
מלאי:
6 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891305
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK39N60W,S1VF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
38.8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
65mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.7V @ 1.9mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4100 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
270W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
TK39N60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK39N60WS1VF
TK39N60W,S1VF(S
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCH067N65S3-F155
יצרן
onsemi
כמות זמינה
900
DiGi מספר חלק
FCH067N65S3-F155-DG
מחיר ליחידה
5.11
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH48N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
272
DiGi מספר חלק
IXTH48N65X2-DG
מחיר ליחידה
5.48
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPW65R048CFDAFKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
80
DiGi מספר חלק
IPW65R048CFDAFKSA1-DG
מחיר ליחידה
7.59
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
SSM3J15FV,L3F
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
