מספר מוצר של יצרן:
STW19NM65N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STW19NM65N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 15.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
מלאי:
12876591
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STW19NM65N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
270mOhm @ 7.75A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
55 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1900 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247-3
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
STW19N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
-497-7033-5
497-7033-5
חבילה סטנדרטית
30
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SIHG15N60E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG15N60E-GE3-DG
מחיר ליחידה
1.40
סוג משאב
Similar
מספר חלק
APT34F60B
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
9
DiGi מספר חלק
APT34F60B-DG
מחיר ליחידה
12.56
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTH20N65X
יצרן
IXYS
כמות זמינה
595
DiGi מספר חלק
IXTH20N65X-DG
מחיר ליחידה
5.92
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SIHG17N80E-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SIHG17N80E-GE3-DG
מחיר ליחידה
2.36
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPW16N50C3FKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
196
DiGi מספר חלק
SPW16N50C3FKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.66
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STULED656
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
STB20NM60D
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
