מספר מוצר של יצרן:
STULED656
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STULED656-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
12876608
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STULED656 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
895 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
70W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מספר מוצר בסיסי
STULED
מידע נוסף
שמות אחרים
497-13981-5
STULED656-DG
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPS65R950C6AKMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
150
DiGi מספר חלק
IPS65R950C6AKMA1-DG
מחיר ליחידה
0.66
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STB20NM60D
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STP9NM50N
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
STFI26NM60N
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
