מספר מוצר של יצרן:
STI26NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STI26NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I2PAK
מלאי:
942 יחידות חדשות מק originales במלאי
12876631
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STI26NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1800 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
I2PAK
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
STI26N
מידע נוסף
שמות אחרים
497-12261
-497-12261
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPI60R190C6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
495
DiGi מספר חלק
IPI60R190C6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.43
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STF8NM60ND
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
IRF640FP
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
STS5PF30L
MOSFET P-CH 30V 5A 8SO
