מספר מוצר של יצרן:
SIHG15N60E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHG15N60E-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AC
מלאי:
12921780
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHG15N60E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
E
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
15A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
78 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
180W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-247AC
חבילה / מארז
TO-247-3
מספר מוצר בסיסי
SIHG15
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTH30N60L2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
475
DiGi מספר חלק
IXTH30N60L2-DG
מחיר ליחידה
12.61
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
APT34F60B
יצרן
Microchip Technology
כמות זמינה
9
DiGi מספר חלק
APT34F60B-DG
מחיר ליחידה
12.56
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
DMT8008LFG-7
MOSFET N-CH 80V 16A PWRDI3333
DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
