מספר מוצר של יצרן:
STP3NK60ZFP
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP3NK60ZFP-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.4A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220FP
מלאי:
1511 יחידות חדשות מק originales במלאי
12946168
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP3NK60ZFP מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
SuperMESH™
סטטוס המוצר
Not For New Designs
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.4A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 50µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
311 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
20W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STP3NK60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-5978-5
-497-5978-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF4LN80K5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1998
DiGi מספר חלק
STF4LN80K5-DG
מחיר ליחידה
0.61
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFIBC30GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1568
DiGi מספר חלק
IRFIBC30GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.22
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK3A60DA(Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
1
DiGi מספר חלק
TK3A60DA(Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IRFIBC20GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
1053
DiGi מספר חלק
IRFIBC20GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.07
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FCH25N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
BUK7E8R3-40E,127
75A, 40V, 0.0074OHM, N-CHANNEL M
FCPF11N60
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
