מספר מוצר של יצרן:
IRFIBC30GPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFIBC30GPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
1568 יחידות חדשות מק originales במלאי
12914707
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFIBC30GPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.2Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
31 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
660 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
35W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRFIBC30
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFIBC30GPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2341DS-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
IRLL014TR
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
