מספר מוצר של יצרן:
STP3N150
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STP3N150-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 1500 V 2.5A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
12876588
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STP3N150 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
PowerMESH™
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1500 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29.3 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
939 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
140W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
STP3N150
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-6327-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW19NM65N
MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
STH12N120K5-2
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STULED656
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
