STF18N60M6
מספר מוצר של יצרן:

STF18N60M6

Product Overview

יצרן:

STMicroelectronics

DiGi Electronics מספר חלק:

STF18N60M6-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

מלאי:

29 יחידות חדשות מק originales במלאי
12880353
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

STF18N60M6 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
Tube
סדרה
MDmesh™ M6
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.75V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
16.8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
650 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
25W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FP
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
STF18

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

מידע נוסף

שמות אחרים
497-19057
חבילה סטנדרטית
50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק
TK14A65W,S5X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
19
DiGi מספר חלק
TK14A65W,S5X-DG
מחיר ליחידה
1.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6015ENX
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
23
DiGi מספר חלק
R6015ENX-DG
מחיר ליחידה
1.61
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK17A80W,S4X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
52
DiGi מספר חלק
TK17A80W,S4X-DG
מחיר ליחידה
1.57
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
stmicroelectronics

STFI11N65M2

MOSFET N-CH 650V 7A I2PAKFP

stmicroelectronics

STB18NM60N

MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK

stmicroelectronics

STW3N150

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3

stmicroelectronics

STP8NM60D

MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB