מספר מוצר של יצרן:
TK14A65W,S5X
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK14A65W,S5X-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
19 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890663
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK14A65W,S5X מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tube
סדרה
DTMOSIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13.7A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.5V @ 690µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1300 pF @ 300 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK14A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK14A65W,S5X-DG
TK14A65WS5X
TK14A65W,S5X(M
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FCPF260N60E
יצרן
Fairchild Semiconductor
כמות זמינה
190
DiGi מספר חלק
FCPF260N60E-DG
מחיר ליחידה
1.76
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3J120TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
SSM3J132TU,LF
MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM
TPH2R506PL,L1Q
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
