מספר מוצר של יצרן:
TPH2R506PL,L1Q
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TPH2R506PL,L1Q-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
מלאי:
4636 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890674
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TPH2R506PL,L1Q מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSIX-H
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
100A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4.4mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 500µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5435 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
132W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOP Advance (5x5)
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
TPH2R506
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TPH2R506PLL1Q
TPH2R506PLL1QDKR
TPH2R506PLL1QTR
TPH2R506PL,L1Q(M
TPH2R506PLL1QCT
חבילה סטנדרטית
5,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK5Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
TK10A60E,S5X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TPH6R004PL,LQ
MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP