מספר מוצר של יצרן:
STB18NM60N
Product Overview
יצרן:
STMicroelectronics
DiGi Electronics מספר חלק:
STB18NM60N-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12880359
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
STB18NM60N מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
STMicroelectronics
אריזות
-
סדרה
MDmesh™ II
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
13A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
285mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
35 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1000 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
110W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
STB18N
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
497-10297-6
-497-10297-6
497-10297-1
497-10297-2
-497-10297-2
-497-10297-1
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
R6015ENJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
4
DiGi מספר חלק
R6015ENJTL-DG
מחיר ליחידה
1.65
סוג משאב
Similar
מספר חלק
STB18N60M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
916
DiGi מספר חלק
STB18N60M2-DG
מחיר ליחידה
1.09
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6015KNJTL
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
2982
DiGi מספר חלק
R6015KNJTL-DG
מחיר ליחידה
1.13
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPB60R299CPAATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3987
DiGi מספר חלק
IPB60R299CPAATMA1-DG
מחיר ליחידה
1.41
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
STW3N150
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STP8NM60D
MOSFET N-CH 600V 8A TO220AB
STD25N10F7
MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
