מספר מוצר של יצרן:
SCT2120AFC
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
SCT2120AFC-DG
תיאור:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
13526957
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SCT2120AFC מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
SiCFET (Silicon Carbide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
29A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 3.3mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
61 nC @ 18 V
VGS (מקס')
+22V, -6V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1200 pF @ 500 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
165W (Tc)
טמפרטורת פעולה
175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SCT2120
דף נתונים ומסמכים
מסמכי אמינות
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SCT2120AFCU
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IPP65R190E6XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
580
DiGi מספר חלק
IPP65R190E6XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.52
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPP24N60C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
129
DiGi מספר חלק
SPP24N60C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
2.95
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK17E65W,S1X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
12
DiGi מספר חלק
TK17E65W,S1X-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXFP18N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
300
DiGi מספר חלק
IXFP18N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.30
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IXTP20N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
279
DiGi מספר חלק
IXTP20N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.20
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RRH100P03TB1
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
US5U2TR
MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
R6015ANZC8
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
