מספר מוצר של יצרן:
IXFP18N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXFP18N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
300 יחידות חדשות מק originales במלאי
13271055
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXFP18N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
HiPerFET™, Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1.5mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
29 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1520 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
290W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXFP18
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXFP18N65X2
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTU4N70X2
MOSFET N-CH 700V 4A TO251
IXTT11P50-TRL
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
MMIX1T660N04T4
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
