מספר מוצר של יצרן:
MMIX1T660N04T4
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
MMIX1T660N04T4-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 660A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
מלאי:
13271058
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
MMIX1T660N04T4 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
660A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
860 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±15V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
44000 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
830W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
24-SMPD
חבילה / מארז
24-PowerSMD, 21 Leads
מספר מוצר בסיסי
MMIX1T660
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-MMIX1T660N04T4
חבילה סטנדרטית
20
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTA08N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
IXTP12N70X2M
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247