מספר מוצר של יצרן:
IXTP12N70X2M
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP12N70X2M-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 700 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
מלאי:
13271061
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP12N70X2M מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
700 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
300mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
19 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
960 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220 Isolated Tab
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IXTP12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTP12N70X2M
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STP18N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
1005
DiGi מספר חלק
STP18N65M2-DG
מחיר ליחידה
1.05
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247
IXTA64N10L2-TRL
MOSFET N-CH 100V 64A TO263
IXTA80N075L2-TRL
MOSFET N-CH 75V 80A TO263