מספר מוצר של יצרן:
IXTP20N65X2
Product Overview
יצרן:
IXYS
DiGi Electronics מספר חלק:
IXTP20N65X2-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
279 יחידות חדשות מק originales במלאי
13271142
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IXTP20N65X2 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Littelfuse
אריזות
Tube
סדרה
Ultra X2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
20A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
185mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1450 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
290W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
IXTP20
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
238-IXTP20N65X2
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
Not Applicable
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IXFP36N55X2
IXFP36N55X2
IXTA1N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 1A TO263
IXTY18P10T-TRL
MOSFET P-CH 100V 18A TO252