מספר מוצר של יצרן:
R6027YNX3C16
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6027YNX3C16-DG
תיאור:
NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 27A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002590
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6027YNX3C16 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
27A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V, 12V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
135mOhm @ 7A, 12V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
6V @ 2mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
245W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-R6027YNX3C16
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
G700P06J
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
TSM150NB04LCV RGG
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
