IPD028N06NF2SATMA1
מספר מוצר של יצרן:

IPD028N06NF2SATMA1

Product Overview

יצרן:

Infineon Technologies

DiGi Electronics מספר חלק:

IPD028N06NF2SATMA1-DG

תיאור:

TRENCH 40<-<100V
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 139A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

מלאי:

1948 יחידות חדשות מק originales במלאי
13002605
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

IPD028N06NF2SATMA1 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
StrongIRFET™2
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
24A (Ta), 139A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.85mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.3V @ 80µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
102 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4600 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
IPD028

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים
448-IPD028N06NF2SATMA1TR
448-IPD028N06NF2SATMA1CT
448-IPD028N06NF2SATMA1DKR
SP005588978
חבילה סטנדרטית
2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
infineon-technologies

IAUTN06S5N008TATMA1

MOSFET_)40V 60V)

diodes

DMT12H060LCA9-7

MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15

vishay-siliconix

SIHF085N60EF-GE3

EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU

onsemi

NTMFS4C905NAT1G

TRENCH 6 30V NCH