מספר מוצר של יצרן:
DMT12H060LCA9-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMT12H060LCA9-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
תיאור מפורט:
N-Channel 115 V 3.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount X2-DSN1515-9
מלאי:
13002612
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMT12H060LCA9-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
115 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3.5A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
85mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8 nC @ 5 V
VGS (מקס')
±5.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
560 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
X2-DSN1515-9
חבילה / מארז
9-SMD, No Lead
מספר מוצר בסיסי
DMT12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMT12H060LCA9-7
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHF085N60EF-GE3
EF SERIES POWER MOSFET TO-220 FU
NTMFS4C905NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
DMN3061S-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
