מספר מוצר של יצרן:
G700P06J
Product Overview
יצרן:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
G700P06J-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 23A TO-251
תיאור מפורט:
P-Channel 23A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251
מלאי:
13002595
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
G700P06J מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Goford Semiconductor
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
70mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
Standard
פיזור כוח (מרבי)
50W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
4822-G700P06J
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
3 (168 Hours)
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN1032UCP4-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DSN1010-
TSM150NB04LCV RGG
40V, 36A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IPD028N06NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V
