מספר מוצר של יצרן:
R6007KNX
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
R6007KNX-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-220FM
מלאי:
12818180
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
R6007KNX מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
620mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
14.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
470 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
46W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220FM
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
R6007
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
R6007KNXDKRINACTIVE
R6007KNXCTINACTIVE
846-R6007KNX
R6007KNXDKR-DG
R6007KNXCT
R6007KNXDKR
R6007KNXCT-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK8A65D(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
53
DiGi מספר חלק
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.92
סוג משאב
Similar
מספר חלק
R6007KNX
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
R6007KNX-DG
מחיר ליחידה
1.02
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
IXTP4N70X2M
יצרן
IXYS
כמות זמינה
24
DiGi מספר חלק
IXTP4N70X2M-DG
מחיר ליחידה
1.35
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
RTQ020N05HZGTR
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6
RSQ020N03HZGTR
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6
RTR030N05HZGTL
MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3
