מספר מוצר של יצרן:
TK8A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
TK8A65D(STA4,Q,M)-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 8A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
מלאי:
53 יחידות חדשות מק originales במלאי
12890567
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TK8A65D(STA4,Q,M) מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Bulk
סדרה
π-MOSVII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
8A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
840mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
25 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1350 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220SIS
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
TK8A65
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TK8A65D(STA4QM)
TK8A65D(Q)
TK8A65DSTA4QM
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
TPCA8028-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 50A 8SOP
