מספר מוצר של יצרן:
EM6K31T2R
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
EM6K31T2R-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
תיאור מפורט:
Mosfet Array 60V 250mA 150mW Surface Mount EMT6
מלאי:
19659 יחידות חדשות מק originales במלאי
13522729
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
EM6K31T2R מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
15pF @ 25V
הספק - מקס'
150mW
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
SOT-563, SOT-666
חבילת מכשירים לספקים
EMT6
מספר מוצר בסיסי
EM6K31
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
EM6K31T2RTR
EM6K31T2RDKR
EM6K31T2R-ND
EM6K31T2RCT
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
EM6K6T2R
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
BSM180D12P2C101
SIC 2N-CH 1200V 204A MODULE
BSM120D12P2C005
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
