מספר מוצר של יצרן:
BSM250D17P2E004
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
BSM250D17P2E004-DG
תיאור:
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
תיאור מפורט:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 250A (Tc) 1800W (Tc) Chassis Mount Module
מלאי:
34 יחידות חדשות מק originales במלאי
13523882
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BSM250D17P2E004 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Box
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
Silicon Carbide (SiC)
תצורה
2 N-Channel (Half Bridge)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
1700V (1.7kV)
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
-
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 66mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
-
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
30000pF @ 10V
הספק - מקס'
1800W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-40°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Chassis Mount
חבילה / מארז
Module
חבילת מכשירים לספקים
Module
מספר מוצר בסיסי
BSM250
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
4
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
HP8KA1TB
MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
HP8M31TB1
MOSFET N/P-CH 60V 8.5A 8HSOP
BSM180D12P3C007
SIC 2N-CH 1200V 180A MODULE
